Die Atomlagenabscheidung (ALD - Atomic Layer Deposition) ist ein Abscheideverfahren zur Herstellung dünner Schichten im Nanometerbereich. Die selbst-limitierende Abscheidung atomarer Monolagen erfolgt über ein zyklisches Einlassen leicht flüchtiger und hochreaktiver Precursoren, bei dem mehrere Reaktanten abwechselnd durch ein Spülpuls getrennt in die Prozesskammer eingeleitet werden.

Vorteile der ALD-Beschichtung:

• konforme Schichtabscheidung auf beliebig geformte Substrate
• exakte Schichtdickenkontrolle
• definierte Schichtzusammensetzung
• hohe Schichtqualität